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为求解硅片表面微小粒子在任意线偏振平面入射光照射下的散射光光强分布，选择了基于Mie散射的杨氏模型为依据，推导了该模型下散射光强空间分布的计算方法，并给出了0．54／μm球形粒子在垂直、倾斜入射下光强空间分布的模拟计算结果，以及入射平面第一象限内散射光强与国外已发表实验结果的比较．
硅片表面球形粒子散射研究
【摘 要】
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为求解硅片表面微小粒子在任意线偏振平面入射光照射下的散射光光强分布，选择了基于Mie散射的杨氏模型为依据，推导了该模型下散射光强空间分布的计算方法，并给出了0．54／μm球形粒
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院研究生院
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2006年4期
【基金项目】
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上海市第三期光科技项目（编号,036105026）资助
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