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期刊论文
GeSi—PMODMOS器件研究
GeSi—PMODMOS器件研究
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangrong825
【摘 要】
:
在分析PMODMOS结构以及器件物理基础上,重点研究了GeSi沟道中Ge含量分布、超薄栅介质层SiO2和Si帽层厚度等对GeSi-PMODMOS特性的影响.介绍了与GeSi-PMODMOS结构器件相关的超
【作 者】
:
郑宜钧
顾军
贾永华
江锋
张铃铃
洪海燕
【机 构】
:
电子58研究所
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2001年9期
【关键词】
:
异质结构
MODMOS
器件
场效应晶体管
锗
硅
GeSi hetro-structure
modulate-doping
MODMOS
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在分析PMODMOS结构以及器件物理基础上,重点研究了GeSi沟道中Ge含量分布、超薄栅介质层SiO2和Si帽层厚度等对GeSi-PMODMOS特性的影响.介绍了与GeSi-PMODMOS结构器件相关的超薄栅介质层(PESiO2,LPSiO2)、超浅结工艺和超浅结金属化等重要工艺技术.
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