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提出了一种适用于DDR2控制器的主从结构的DLL的研究与设计,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DLL所产生的时钟保证DDR2在读数据时,数据经过传输线传输后能被正确的采样;写数据时,DLL产生的时钟能精准地控制倍率转化。模拟仿真结果表明在0.13μm CMOS工艺下,该结构具有良好的性能特性,满足设计要求。该结构同样可用于其它需要固定延迟的电路。