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采用光刻法制备了薄膜晶体管的银源漏电极，实验中变换不同的刻蚀剂以减少对SiO2栅绝缘层的损害。底接触法蒸镀的酞菁铜作为晶体管器件的有源层，制得的晶体管器件的输出特性曲线显示该器件的输出电流具有趋于饱和的倾向。
光刻法制作源漏电极的薄膜晶体管
【摘 要】
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采用光刻法制备了薄膜晶体管的银源漏电极，实验中变换不同的刻蚀剂以减少对SiO2栅绝缘层的损害。底接触法蒸镀的酞菁铜作为晶体管器件的有源层，制得的晶体管器件的输出特性曲线
【机 构】
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五邑大学应用物理与材料学院,广州大学化学化工学院
【出 处】
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广州化工
【发表日期】
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2012年2期
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