【摘 要】
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高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y（C）/y（Si）摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层质量
【机 构】
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西安理工大学材料科学与工程学院,中国电子科技集团公司第二研究所
【基金项目】
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国家国际科技合作专项项目（项目编号：2013DFR10020）
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高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y（C）/y（Si）摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数,采用原位HCl刻蚀工艺,获得了Si C单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺,外延层表面平滑,表面粗糙度仅0.218 nm,晶片外延层厚度不均匀性小于0.4%。
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