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采用氧气反应离子刻蚀（RIE）SU-8光刻胶，以获得三维SU-8微结构（如斜面）。实验采用套刻、溅射、湿法腐蚀、电镀等技术实现光刻胶上镍掩膜图形化。分别研究氧气气压、射频（RF）功率、氧气流量对刻蚀速率的影响，并对实验结果进行了理论分析，在此基础上可进一步优化刻蚀工艺以获得更高的刻蚀速率。
SU-8光刻胶氧刻蚀的研究
【摘 要】
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采用氧气反应离子刻蚀（RIE）SU-8光刻胶，以获得三维SU-8微结构（如斜面）。实验采用套刻、溅射、湿法腐蚀、电镀等技术实现光刻胶上镍掩膜图形化。分别研究氧气气压、射频（RF）功率、氧
【机 构】
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上海交通大学微纳科学技术研究院
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2006年5期
【基金项目】
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国家重点实验室基金资助项目（51485030105JW0S01）
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