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利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C（0001）面上采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得Ga N薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×10^7 cm^-2和5.20×10^9 cm^-2,总位错密度为5.25×10^9 cm^-2。