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光子探测器有本征、非本征、内部光发射和次带间光电探测器多种类型。非本征光电探测器需要被致冷到较低的温度（〈40K）。内部光发射光电探测器的主要缺点是量子效率低，因为载流子是通过自由载流子吸收激活的。本征光电探测器是利用带隙吸收的光子探测器，其材料的选择仅限于在远红外谱区具有带隙吸收的那些半导体．其中，HgCdTe是最重要的一种半导体材料．然而，大面积低带隙材料膜的生长依然比较困难。因此，生长和加工工艺比较成熟的基于宽带隙的次带间光电探测器，更适合于制备大规格的光电探测器列阵。