论文部分内容阅读
我们利用分子束外延方法生长了低温GaAs薄膜,并应用X射线双晶衍射、TEM等手段对其进行了初步研究,发现原生样品和衬底之间存在晶格失配,随着退火温度的上升,晶格失配逐渐消失,TEM观察到600,700,850℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物,沉淀物大致呈球形,砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大,而密度却随退火温度的上升指数地下降。