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采用He／Ar复合气氛下磁控溅射方法，在Ti、TiZrYAl和TiMoYAl等3种薄膜中引入浓度(氦-金属比)高达0．19的氦。引入的氦在膜层内沿深度均匀分布，并主要存在于直径为2～5nm的高压He泡内。热解吸实验表明，在相同He含量下，TiHe膜中He的解吸峰温度与氚化钛中衰变产生的。He的解吸峰温度基本一致。与纯钛相比，合金膜中氦的热解吸谱宽化明显，表明He在合金膜内的捕获形式更为复杂。