The influence of total ionizing dose on the hot carrier injection of 22 nm bulk nFinFET

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hflx152
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We investigate the hot carrier injection effect(HCI)and how X-ray radiation impacts the HCI of 22-nm nFinFETs as a function of device geometry and irradiation bias conditions in this paper.In the HCI test,the degradation of threshold voltage and saturatio
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