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格鲁吉亚共和国
【出 处】
：
东欧中亚研究
【发表日期】
：
1992年06期
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相比于传统的Si衬底,SiGe材料利用能带工程裁减半导体能带,使Si无需借助缩小器件尺寸而提高器件性能。SiGe材料通过在Si中引入Ge元素,获取非常高的迁移率的提升。同时可以通过改变Ge元素的比例来调整SiGe薄膜的应力,进而调整SiGe材料的迁移率和禁带宽度,且与现有的硅工艺兼容,从而受到业界的青睐。目前Si基器件的沟道迁移率衰退严重,引用高迁移率沟道材料势在必行,但是将SiGe高迁移率沟道材
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