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双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究
双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:f2062325
【摘 要】
:
采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规
【作 者】
:
郑养术
张敏
等
【机 构】
:
中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1993年1期
【关键词】
:
集成电路
多层布线
CMOS
工艺
电路
Fabrication
Gates (transistor)
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采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规模集成电路。本文对双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术的几个关键技术问题进行讨论。
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