【摘 要】
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感应耦合等离子体（ICP）刻蚀是宽禁带半导体材料4H-SiC加工工艺中的重要环节。采用CF4/O2作为刻蚀气体，首次用正交实验的方法系统研究了ICP功率、射频（RF）功率、CF4流量、O2流量等
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感应耦合等离子体（ICP）刻蚀是宽禁带半导体材料4H-SiC加工工艺中的重要环节。采用CF4/O2作为刻蚀气体，首次用正交实验的方法系统研究了ICP功率、射频（RF）功率、CF4流量、O2流量等工艺参数对4H-SiC材料刻蚀速率的影响，结果表明刻蚀速率随ICP功率和RF功率的增大而增大，随CF4流量先减小后增大，随O2流量先增大后减小。在ICP功率为500W、RF功率为125W、CF4和O2流量分别为15sccm和22sccm时，获得最大刻蚀速率213．47nm／min，同时表面均方根粗糙度仅为0．724
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