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利用直流磁控溅射的方法,在n型Si衬底上沉积LaBaMnO3(LBMO)薄膜,从而形成p-n结并对其电流-电压(I-V)性能进行研究。在180-300K测试温度范围内,该p-n结表现出优良的整流性能,即正向导通、反向截止。外加电压为5V时,该p-n结的整流比(I+5V/I-5V)超过102数量级。