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采用蒸发法、反应离子溅射法和等离子增强淀积法３种方法，在ＳｉＯ＿２－Ｓｉ衬底上淀积一层ＳｎＯ＿２薄膜，在这层薄膜内用反应离子溅射或蒸发法掺人微量Ａｌ．比较这些掺杂和未掺杂样品对氢气响应灵敏度的差别，研究了响应灵敏度差别与薄膜的微观结构和表面原子价态之间的关系．
淀积和掺杂方法对氧化锡薄膜气体灵敏度的影响
【摘 要】
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采用蒸发法、反应离子溅射法和等离子增强淀积法３种方法，在ＳｉＯ＿２－Ｓｉ衬底上淀积一层ＳｎＯ＿２薄膜，在这层薄膜内用反应离子溅射或蒸发法掺人微量Ａｌ．比较这些掺杂和未掺杂样品对氢气响应灵敏度的差别，研
【机 构】
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华东师范大学电子科学技术系
【出 处】
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郑州轻工业学院学报
【发表日期】
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1994年S1期
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