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利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究Si4Ge4合金的声子谱随着压力变化的规律,探讨压力对Si4Ge4合金声子谱的作用机制.计算结果显示,外界压力对Si4Ge4合金的声子谱有非常明显的调制作用.随着外界压力的增加,Si4Ge4合金的声子谱表现出3个基本特征:声学支频率范围展宽,光学支频率蓝移,频率禁区变宽.