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首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、椭圆偏振光谱（SE）表征。XRD表征表明当六配位Zn2＋以替位的形式取代六配位Mg2＋时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小。SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能（3.76eV）比ZnO体晶的能带隙（3.37eV）大。AFM表征表明：导致薄膜的XRD的