【摘 要】
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非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm～50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光
【机 构】
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东莞宏威数码机械有限公司研发中心,清华大学机械工程学院精密仪器与机械学系光盘国家工程研究中心
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非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm～50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四分光路的激光刻线系统。采用设计的激光刻线装置,在1 400mm×1 100mm×3.2mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μm和45μm,死区范围（P1至P3的距离）为287μm,最终深度分别为0.98μm,0.24μm
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