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本文利用CoFeNbSiB非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应制作了一种新型微磁场传感器.该传感器尺寸小,灵敏度高,反应速度快,且不需要预热.文章中具体介绍了非晶丝的特性、传感器的硬件及软件设计.
基于CoFeNbSiB非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器
【摘 要】
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本文利用CoFeNbSiB非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应制作了一种新型微磁场传感器.该传感器尺寸小,灵敏度高,反应速度快,且不需要预热.文章中具体介绍了非晶丝的特性、传感器的硬件
【机 构】
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北京科技大学机槭工程学院
【出 处】
：
电子设计应用
【发表日期】
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2004年期
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