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文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器，该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合，为全差分结构，在Jazzo．18um RFCMOS工艺下实现，芯片面积为1．08mm^2，射频端ESD抗击穿电压为1．4kV。测试结果表明，在1．8V电源电压下，该LNA的工作频带为3．1～4．7GHz，功耗为14．9mW，噪声系数（NF）为1．91～3．24dB，输入三阶交调量（IIP3）为-8dBm。