【摘 要】
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对可达到 2 .5～ 40 Gb/s数据速率的 Si Ge与 Ga As和 In P材料进行了比较 ,还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析
The comparison of Si Ge with GaAs and In P for data
【机 构】
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电子十三所 河北石家庄050051
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对可达到 2 .5～ 40 Gb/s数据速率的 Si Ge与 Ga As和 In P材料进行了比较 ,还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析
The comparison of Si Ge with GaAs and In P for data rates up to 2.5 to 40 Gb / s, as well as the typical features of various materials and processes
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