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静态电流（IDDQ）测试是一种很灵敏且具有成本效益的集成电路测试技术，针对0.13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况，利用激光束诱导电阻值变化（OBIRCH）、电压对比（VC）、扫描电镜（SEM）和聚焦离子束（FIB）等电学与物理失效分析方法，确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因，据此进行了离子注入光阻的工艺改进，最终实现了成品率的提升。