混合硅准备取代磷化铟(InP)光子芯片

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2006年,美国加州大学(UCSB)和Intel公司的研究人员推出了世界上第一个电泵浦混合硅激光器。该器件利用了III-V族半导体的发光特性,并运用成熟的CMOS工艺在硅晶圆上制作激光器,从而为制造廉价的量产型硅制光学器件开启了大门。7年的时间很快就过去了,许多人都认为:混合硅光子技术革命如今已经的的确确是万事俱备了。业界开发出了各种各样的混合器件,从激光源和光学放大器到高速调制器、波导和偏振组件,等等,不一而足,从而形成了光子集成电 In 2006, researchers at the University of California (UCSB) and Intel Corporation introduced the world’s first electrically pumped hybrid silicon laser. The device takes advantage of the light-emitting characteristics of III-V semiconductors and uses mature CMOS processes to fabricate lasers on silicon wafers, opening the door to inexpensive, production-ready silicon optics. Seven years have passed very quickly, and many people think that the hybrid silicon photonics revolution is truly everything today. The industry has developed a wide range of hybrid devices, ranging from laser sources and optical amplifiers to high-speed modulators, waveguides and polarization components, to name but a few, and have formed photonic integrated circuits
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