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为满足无线充电和USBTypeC客户的需求,力旺电子日前宣布其嵌人式可多次编写内存硅知识产权NeoMTP已于Towerjazz0.18μmBCD工艺平台完成可靠度验证,即日起可供使用。除了NeoMTP外,力旺也宣布近日会与TowerJazz合作,在65nm5VRFCMOS工艺开发可一次编写内存硅知识产权NeoBit设计,以满足RF和5G等通讯应用的需求。