【摘 要】
:
研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效
【机 构】
:
中国农业大学理学院应用物理系,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083,北京100083
论文部分内容阅读
研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.
The effect of p-GaN layer thickness on the performance of GaN-based pin-type UV detector was investigated. The simulation results show that thicker p-GaN layer can reduce the quantum efficiency of the device, while reducing the dark current of the device. The thin p-GaN layer increases the quantum efficiency of the device but at the same time increases the dark current of the device. Further analysis shows that the junction field between metal and p-GaN is the root cause of this phenomenon. Device design, should be based on the actual need to choose the thickness of the p-type layer.
其他文献
针对液固挤压复合材料多输入/多输出系统的复杂非线性建模问题,提出了一种基于模糊神经网络的建模方法.在对该系统进行描述与分析的基础上,采用正交实验数据和有限元模拟数据
在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验
随着CMOS器件的不断微缩,硅有源区面积的缩小,工艺导致的机械应力对器件的影响越来越显著,许多工艺步骤会造成有源区应力的累积.应力不仪导致器件性能对版图产生依赖性,而且
运用Landau-Lifshitz方程,边界处动态磁化强度由有效偶极边界条件约束.研究了无限长金属磁条中自旋波传播的特征,得到了该体系抽运微波磁场的阈值曲线以及色散曲线的解析式,
利用电化学沉积方法在同一种富Co2+溶液Co2+/Cu2+=10:1中.利用不同的沉积电位成功地制备了一系列不同成分(x=0.38-0.87)和复合相结构的CoxCu1-x纳米线阵列.发现随着纳米线中C
旅游是西藏经济发展的重要途径,文章以西藏雪顿节为例,通过西藏十年旅游的发展状况,研究西藏旅游经济可持续发展具有重要的社会意义。
利用Hamilton原理推导GMM/弹性板/PZT三层层状复合结构的运动方程,在推导中考虑层间胶层的作用,包括其剪切变形和纵向变形产生的效果;应用运动方程,根据层状复合结构的边界条
模拟了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-0.3PT)单晶1-3型压电复合材料的性能与单品体积分数的关系,得出性能最优时压电相的体积分数为64%,在这一体积分数下,采用切割-填充
采用量子阱混杂的材料集成技术制备并联分布反馈激光器和Y形波导耦合器集成的新型光电器件.两个并联分布反馈激光器的激射模式在频率上稍有差别,这两束不同频率的激光在Y形波