【摘 要】
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介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz。该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚合物材料的无源结构的传输损耗降至14.4-15.
【机 构】
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中国科学院大学,中国科学院微电子研究所
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介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz。该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚合物材料的无源结构的传输损耗降至14.4-15.5 Np/m。相比于基于传统石英介质基片和半导体介质基片的传输线,传输损耗降低了一半以上。同时为了降低高频损耗,提高电路效率,二极管需采用亚微米结构,结半径为0.5μm,结电容为1.5 fF。无源结构和有源结构的同时优化使得该倍频器在540~580 GHz的工作频带内,变频损耗优于-8 dB,回波损耗优于10 dB。并且由于无源
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