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利用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）在已经预沉积有非晶硅薄膜的石英衬底上低温沉积了N/I非晶硅薄膜,对样品进行了两步快速光热（RTP）退火.采用Raman、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等测试仪器对样品退火前后的结晶状况和微观形貌进行了分析.结果表明,该N/I非晶硅薄膜退火后的晶化率达到了94%左右,断面形貌为柱状结构,样品中的平均晶粒尺寸约30nm,晶粒团簇的尺寸最大约1.5μm.