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采用热丝CVD法,以H2和CH4混合气体为气体源,在涂有巴基管的单晶硅基底上,对金刚石薄膜生长进行了优化工艺参数实验。对所得薄膜进行了X射线衍射、Raman光谱和SEM检测,结果表明,在适宜的钨丝功率和基底温度条件下,以巴基管为涂层,在硅基底上能快速生成优质的金刚石薄膜,并且金刚石晶形随积时间的延长呈现聚晶倾向。