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由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体等4层结构组成的MSOS电容器,它的正向偏压C-V特性曲线有一个电容的最小值C_min,它反映了a-Si:H薄膜的厚度d_(?),提出了一种新的测量a-Si:H簿膜厚度的方法——电容测厚法,它有如下优点:①测量数据可靠;②精度较高,可达±8nm;③测量范围较大。