【摘 要】
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利用GaP纳米晶的表面催化作用, 从苯直接合成了二联苯, 并研究了合成反应过程中GaP纳米晶含量的影响. 结果表明：在没有GaP纳米晶时, 直到480℃也没有观察到苯的明显聚合; 而当有GaP纳米晶存在时, 参与聚合反应的苯的数量与GaP纳米晶的含量成正比, 在足够高的GaP纳米晶含量情况下, 高温(450-480℃)时苯几乎完全发生聚合, 而且二联苯的相对产率较高; 与之相反, 在低温条件(25
【机 构】
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利用GaP纳米晶的表面催化作用, 从苯直接合成了二联苯, 并研究了合成反应过程中GaP纳米晶含量的影响. 结果表明：在没有GaP纳米晶时, 直到480℃也没有观察到苯的明显聚合; 而当有GaP纳米晶存在时, 参与聚合反应的苯的数量与GaP纳米晶的含量成正比, 在足够高的GaP纳米晶含量情况下, 高温(450-480℃)时苯几乎完全发生聚合, 而且二联苯的相对产率较高; 与之相反, 在低温条件(250-300℃)下, 即使有足够的GaP纳米晶存在, 苯也只有少量发生聚合, 二联苯的相对产率迅速降低.
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