657nm外腔半导体激光器的实现

来源 :时间频率学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kelly2457

【摘要】

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对一种Littman-Metcalf外腔结构半导体激光器的实现过程作了报道.利用这种结构的光反馈特性,使原来自由运转时波长在660nm附近的半导体激光器在常温下能够调节到657nm附近,并

【作者】

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吕德胜黄凯凯王凤芝杨东海

【机构】

：

北京大学信息科学技术学院

【出处】

：

时间频率学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

外腔反馈半导体激光器激光线宽 External cavity feedback Diode laser Laser linewidtg

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对一种Littman-Metcalf外腔结构半导体激光器的实现过程作了报道.利用这种结构的光反馈特性,使原来自由运转时波长在660nm附近的半导体激光器在常温下能够调节到657nm附近,并且把激光线宽从原来的30MHz压窄到100kHz左右,连续调节范围大约为10GHz.这种窄线宽的激光器将用在钙原子Ramsey光谱的实验中.

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