【摘 要】
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用(KOH+H_2O_2+NH_4F)混合腐蚀剂对[110]晶向的硅片进行腐蚀,可以获得截面为矩形的沟槽。本文介绍了取得完美矩形的沟糟和改善沟槽击穿电压的实验结果。把这种沟槽用于垂直沟
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用(KOH+H_2O_2+NH_4F)混合腐蚀剂对[110]晶向的硅片进行腐蚀,可以获得截面为矩形的沟槽。本文介绍了取得完美矩形的沟糟和改善沟槽击穿电压的实验结果。把这种沟槽用于垂直沟道效应晶体管中,漏栅击穿电压可达500V,器件的开关时间为10～20ns。
Using a mixed etchant of (KOH + H_2O_2 + NH_4F) to etch the silicon wafer in the [110] orientation, a trench with a rectangular cross section can be obtained. This article describes the experimental results of obtaining a perfect rectangular groove ditch and improving the trench breakdown voltage. This kind of trench is used in the vertical channel effect transistor, the drain-gate breakdown voltage can reach 500V, the device’s switching time is 10 ~ 20ns.
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