【摘 要】
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随着射频无线通讯事业的发展，高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成，属于一种多数载流子器件，高频性能非常优越。本
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随着射频无线通讯事业的发展，高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成，属于一种多数载流子器件，高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上，提出的集成肖特基二极管设计方法，并且该方法charted0．35μm工艺中以MPw的方式得以实现。为了使串联电阻有效的降低，特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管，以所测得的C—V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿电压继续拧计算，最后给出能够用于SP
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