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考虑到氨对食品、化工和能源的影响,有效激活惰性N2合成氨在现代社会中具有十分重要的意义。在晶体结构中引入缺陷来调节材料的化学和物理性能是一种提高材料电催化性能的有效策略。采用Ar+等离子体轰击策略在WO3的纳米线阵列上产生丰富的氧缺陷,氧缺陷WO3的纳米线阵列(V-WO3)电催化活化N≡N键,从而在环境条件下实现了高效的直接氨合成。氧元素的X射线光电子能谱测试表明,V-WO3催化剂具有丰富的氧缺陷,氧缺陷是导致N2高效电催化转化为NH3的原因。