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在２０ｋＰａ和１ｋＰａ的氧气分压下研究了气孔率对多孔质ＳｉＣ化性状的影响，使用四极质谱仪测定了氧化期间所产生气体的发生速度。
气孔率对多孔质SiC氧化的影响
【摘 要】
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在２０ｋＰａ和１ｋＰａ的氧气分压下研究了气孔率对多孔质ＳｉＣ化性状的影响，使用四极质谱仪测定了氧化期间所产生气体的发生速度。
【出 处】
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国外耐火材料
【发表日期】
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1999年9期
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