激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fanke26

【摘要】

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互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响,在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的

【作者】

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陈钱马英起陈睿朱翔李悦韩建伟

【机构】

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中国科学院国家空间科学中心,中国科学院大学地球与行星科学学院,中国科学院大学天文与空间科学学院

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2019年12期

【关键词】

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瞬态剂量率效应闩锁效应脉冲激光 dose rate effectlatch-up effectpulsed laser

【基金项目】

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中国科学院科技创新重点部署项目(批准号: KGFZD-135-16-005),中国科学院空间科学战略性先导科技专项(批准号:XDA15015500)资助的课题.

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互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响,在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的闩锁具有独特的性能.本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置,针对体硅CMOS工艺解串器FIN1218MTDX,进行瞬态剂量率闩锁效应的实验研究,探究其闩锁阈值和闩锁电流特征.实验获得了该器件在3.3 V工作电压时的瞬态剂量率闩锁阈值光功率密度为(8.5±1.2)×10^4 W/cm

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