【摘 要】
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测量了B位掺杂的钙钛矿结构锰氧化物La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3(x = 0, 0.05,0.15和0.25)的电阻率和磁化强度的温度特性. 实验结果表明,当Nb5+ 部分替代B位的Mn4+离子时,电阻
【机 构】
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深圳大学理学院,深圳,518060白俄罗斯科学院固体物理研究所,P.布罗夫基大街17号,明斯克220072,白俄罗斯;
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测量了B位掺杂的钙钛矿结构锰氧化物La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3(x = 0, 0.05,0.15和0.25)的电阻率和磁化强度的温度特性. 实验结果表明,当Nb5+ 部分替代B位的Mn4+离子时,电阻率-温度特性由原来单一的半导体型转变成了高温时的半导体(绝缘体)型和低温时的类金属型. 随Nb掺杂量增大,电阻率迅速升高3～5个数量级,半导体(绝缘体)-类金属转变温度降低.在掺杂Nb的样品中,只观察到顺磁-铁磁转变,而未观察到铁磁-反铁磁转变.上述实验结果的一种可能解释是掺杂改变了磁有序时电子自旋的排列和空间取向,从而改变载流子被自旋热涨落的散射作用和载流子转移的随机性.
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