【摘 要】
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CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄，随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况，提出用高频电容电压（C-V）来评价深亚微米和超深亚微米器
【机 构】
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广东工业大学材料学院,工业和信息化部电子第五研究所
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CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄，随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况，提出用高频电容电压（C-V）来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布，用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正，使其能够适用更小尺寸器件的要求，使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。
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