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研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响，结果表明，在一定电极图形设计下，当ITO方阻大于n-GaN层方阻时，电流朝P电极附近集中，当IT0方阻小于n-GaN层方阻时，电流朝N电极附近集中，只有在ITO与n-GaN方阻接近时，芯片电流扩展才最佳。
GaN基发光二极管透明导电层与n-GaN方阻的匹配研究
【摘 要】
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研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响，结果表明，在一定电极图形设计下，当ITO方阻大于n-GaN层方阻时，电流朝P电极附近集中，当IT0方阻小于n-GaN层方阻时，电流朝N电极附近
【机 构】
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湘能华磊光电股份有限公司
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2015年1期
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