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文章在对带隙基准基本原理与电路结构分析基础上，介绍了一种高精度、低功耗、高电源抑制比的BiCMOS带隙基准电压源电路。该电路的实现是基于0．6μm、5V的BiCMOS工艺。仿真结果表明，该基准电路稳定工作电源电压范围为1．9V～6．4V，在低频下的电源抑制比可达到-88dB，温度变化范围从-25℃至150℃时，温度系数为9．73×10^-6，输出电压误差为1．72mV。