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深入研究了掺碳SiGe（SiGeC）功率一二极管的反向阻断特性，给出了详细的机理分析。与同结构SiGe二极管相比，SiGeC二极管的热稳定性显著提高，反向漏电流明显减小，击穿电压也有所增加，且随着温度的升高，其优势更加明显。与少子寿命控制技术相比，该SiGeC／Si异质结：二极管有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间3者之间的矛盾。其较好的热稳定性降低了对器件后续制作工艺的限制，而且无需采用寿命控制技术．在制作过程中可调节Ge，C含量来对异质结能带结构进行剪裁，折中优化器件性能，给器件设