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安森美半导体5月27日推出新的集成无源元件（IPD）上艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ硅铜IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米（μm），增强了电感性能，提高了灵活性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，用于便携电子设备中的射频（RF）系统级封装应用。
IPD2工艺技术
【摘 要】
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安森美半导体5月27日推出新的集成无源元件（IPD）上艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ硅铜IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米（μm），增强了电感性能，提高了灵活性，配合设
【出 处】
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家电科技
【发表日期】
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2010年7期
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