纳米Al夹层Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：naicha125

【摘要】

：

用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3／Al／Ga2O3三层膜，对其光学和电学性能进；行了表征,单层Al膜厚度大于7nm时，光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域；Ga2O3膜在

【作者】

：

石亮闫金良刘建军李爱丽

【机构】

：

鲁东大学物理与电子工程学院

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2009年10期

【关键词】

：

磁控溅射深紫外多层膜透明导电膜 magnetron sputtering deep ultraviolet multilayer film transpa

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用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3／Al／Ga2O3三层膜，对其光学和电学性能进；行了表征,单层Al膜厚度大于7nm时，光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域；Ga2O3膜在深紫外光区域（〈300nm）透明，光学带隙4．96eV；Ga2O3／Al／Ga2O3三层膜透射率截止波长在245nm左右，随着顶层Ga2O3厚度增加，电导率减小，紫外光透射率峰位、吸收边，截止波长红移，透射率峰值先稍微增加，然后逐渐降低。顶层Ga2O3厚度为34nm时，Ga2O3／Al／Ga2O3三层膜在2

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