【摘 要】
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【目的】本文探究了喷施Si对Cd胁迫下番茄叶片光系统II电子传递的影响,为低Si吸收作物番茄栽培过程中硅肥的合理施用、防治镉污染提供理论依据。【方法】以"耐裂王"番茄为材
【机 构】
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四川省农业科学院园艺研究所/蔬菜种质与品种创新四川省重点实验室,农业部西南地区园艺作物生物学与种质创制重点实验室
【基金项目】
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四川省科技计划项目(18YYJC0454),现代农业产业技术体系专项资金(CARS-23-G32)
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【目的】本文探究了喷施Si对Cd胁迫下番茄叶片光系统II电子传递的影响,为低Si吸收作物番茄栽培过程中硅肥的合理施用、防治镉污染提供理论依据。【方法】以"耐裂王"番茄为材料,利用盆栽法模拟不同Cd含量的土壤,喷施不同浓度的Si溶液,采用Dual-PAM-100双通道荧光测定仪分析测定PSⅡ快速叶绿素荧光诱导动力学特性。【结果】镉胁迫可导致快速叶绿素荧光诱导动力学曲线改变,最小荧光值(Fo)和K相相对可变荧光(Vk)显著增加。喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片的Fo和Vk。镉胁迫引起单位
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