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背面引线的新型集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的研制丁辛芳，牛蒙年，俞海明，丁耘（东南大学微电子中心）０引言ｐＨ－ＩＳＦＥＴ同传统的离子选择电极相比更具吸引力［１～５］，因为ＩＳＦＥＴ适于硅工艺大批量生产，降低了单个器件的成本及器件性能的不均匀性；用半导体...
背面引线的新型集成pH—ISFET传感器的研制
【摘 要】
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背面引线的新型集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的研制丁辛芳，牛蒙年，俞海明，丁耘（东南大学微电子中心）０引言ｐＨ－ＩＳＦＥＴ同传统的离子选择电极相比更具吸引力［１～５］，因为ＩＳＦＥＴ适于硅工艺大批量生产，降低了单个器件的成本及器件性
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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仪器仪表学报
【发表日期】
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1994年4期
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