【摘 要】
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高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层
【机 构】
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西安理工大学材料科学与工程学院,中国电子科技集团公司第二研究所,
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高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数,采用原位HCl刻蚀工艺,获得了Si C单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺,外延层表面平滑,表面粗糙度仅0.218 nm,晶片外延层厚度不均匀性小于0.4%。
High-quality rapid Si C epitaxial growth technology is the key technology developed for high-voltage power electronic devices. The influence of different temperature, molar ratio of y (C) / y (Si) and etching process on the quality of Si C epitaxial layer was investigated by using HCl gas as Cl-containing compound. By optimizing the epitaxial process parameters and using the in-situ HCl etching process, a rapid epitaxial growth process with an epitaxial growth rate of 32 μm / h for Si C single crystal was obtained. The surface of the epitaxial layer is smooth with a surface roughness of only 0.218 nm. Uniformity is less than 0.4%.
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