邻菲罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴

来源 :湖南大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mars1998
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制备了邻菲罗啉化学修饰碳糊电极,在含噻吩甲酰三氟丙酮的HAc-NaAc体系中,Co(Ⅱ)离子经化学富集在电极一须上形成三元络合物,采用2.5次微分伏安法测定痕量Co(Ⅱ)离子,Co(Ⅱ)浓度在8.0×10^-9~7.0×10^-7mol.L^-1范围内与阳极溶出峰峰高成良好的线性关系,检出限达1.2×10^-9mol.L^-1电极用于水样中钴的测定,结果令人满意。
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