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用溶胶-凝胶（Sol—Gel）法在Si（100）基片上沉积了NiZn铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜结构和磁性能的影响。XRD研究表明，薄膜具有立方尖晶石结构，但当退火温度为900℃时，有SiO2相出现，发生了明显的Si扩散。原子力显微镜（AFM）究表明，退火温度升高，薄膜晶粒尺寸逐渐变大，粗糙度相应增加。随着退火温度的升高，薄膜的饱和磁化强度（Ms）呈先增加后降低的趋势，而矫顽力（Hc）与M。s变化相反。当退火温度为700℃时，薄膜具有最优磁性能．Ms=360×10^3A／m，Hc=6764A