【摘 要】
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报道了在中波工艺基础上，Si 基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展，通过温度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波 Si 基碲镉汞温度控制曲线建立
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报道了在中波工艺基础上，Si 基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展，通过温度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波 Si 基碲镉汞温度控制曲线建立及优化了 Si 基碲镉汞短波材料的生长温度控制曲线；获得的 Si 基短波 HgCdTe 材料表面光亮、均匀，表面缺陷密度小于3000 cm －2；基于此技术成功制备出了 Si 基短／中波双色材料。
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